| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 0.15 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 90 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.50 A |
| 上升时间 | 22 ns |
| 正向电压(Max) | 1.6 V |
| 输入电容值(Ciss) | 800pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 90 W |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 90000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 9.15 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道200V - 0.15ohm - 19A - TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道200V - 0.15ohm - 19A - TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
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