类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 650 V |
额定电流 | 20.0 A |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 290 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 192 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
上升时间 | 20 ns |
输入电容值(Ciss) | 1500pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 192 W |
下降时间 | 11 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 192W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 9.15 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 600 V 20A(Tc) 192W(Tc) TO-220AB
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STMICROELECTRONICS STP20NM60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 30 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP20NM60FP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 250 mohm, 30 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP20NM60FD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
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N - CHANNEL 60V - 0.06欧姆 - 20A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP20NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 60 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP20NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 3.75 V
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N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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