| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.15 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 1950 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 17A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1950pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 125 W |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 650 V 17A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
ST Microelectronics（意法半导体）
22 页 / 1.4 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.09 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.01 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP21N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
