STP24NM65N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N沟道650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET
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STP24NM65N 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
封装	TO-220-3
极性	N-CH
功耗	160W (Tc)
漏源极电压(Vds)	650 V
连续漏极电流(Ids)	19A
输入电容值(Ciss)	2500pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	160 W
耗散功率(Max)	160W (Tc)

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STP24NM65N 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Not Recommended for New Designs
包装方式	Tube
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP24NM65N 符合标准

STP24NM65N 概述

STP24NM65N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STP24NM65 数据手册

STP24NM65N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

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