| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 30.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 75.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 输入电容 | 1.60 nF |
| 栅电荷 | 38.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 30.0 A |
| 上升时间 | 15.7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1597pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 125 W |
| 下降时间 | 8.8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 15.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP30NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP30N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 650 V, 0.125 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.11ヘ - 25A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩ II功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET (with fast diode)
ST Microelectronics（意法半导体）
MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道24V - 120A - TO- 220 / D2PAK的STripFET TM功率MOSFET N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFET TM Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 60V - 0.042欧姆 - 30A - TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.042 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
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