STP36N55M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STP36N55M5 数据手册 (15 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STP36N55M5 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.06 Ω
极性	N-CH
功耗	190 W
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	550 V
连续漏极电流(Ids)	33A
输入电容值(Ciss)	2670pF @100V(Vds)
额定功率(Max)	190 W
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	190W (Tc)

STP36N55M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	10.4 mm
宽度	4.6 mm
高度	15.75 mm
工作温度	150℃ (TJ)

STP36N55M5 符合标准

STP36N55M5 概述

STP36N55M5 数据手册

STP36N55M5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.74 MByte

STP36N55M5 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.11 MByte

STP36N55 数据手册

STP36N55M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号