| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 120 V |
| 额定电流 | 40.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 0.032 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 阈值电压 | 2.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 120 V |
| 漏源击穿电压 | 120 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 160 A |
| 上升时间 | 63 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1880pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 28 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 120 V 40A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP40NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 200 V, 38 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP40NF03L 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 22 mohm, 10 V, 1.7 V
ST Microelectronics（意法半导体）
单 N沟道 650 V 0.088 Ohm 250 W 通孔 功率 Mosfet - TO-220-3
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N沟道120V - 0.028W - 40A TO- 220低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 120V - 0.028W - 40A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N沟道200V - 0.038欧姆 - 40A TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
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N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N沟道150V - 0.042ohm - 40A TO- 220目OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A TO-220 MESH OVERLAY⑩ MOSFET
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