类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 500 V |
额定电流 | 3.00 A |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 45 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 2.7 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 45 W |
阈值电压 | 3.75 V |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 3.00 A |
上升时间 | 7 ns |
输入电容值(Ciss) | 310pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 45 W |
下降时间 | 11 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 45W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 9.15 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 500 V 3A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STP4NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 500 V, 2.7 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP4NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 V
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