| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 50A |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.021з - 50A TO-220 STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021з - 50A TO-220 STripFET⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO- 220的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
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