| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 80.0 V |
| 额定电流 | 50.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 20 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 输入电容 | 5.10 nF |
| 栅电荷 | 110 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 80 V |
| 漏源击穿电压 | 80 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 50.0 A |
| 上升时间 | 95 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5100pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 9.15 mm |
| 工作温度 | 175℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.021з - 50A TO-220 STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021з - 50A TO-220 STripFET⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO- 220的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
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