类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 50.0 A |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 110 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.015 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 30 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 50.0 A |
上升时间 | 50 ns |
输入电容值(Ciss) | 1300pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 110 W |
下降时间 | 15 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 9.15 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP55NF06L.. 场效应管, MOSFET, N沟道
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STMICROELECTRONICS STP55NF06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 18 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.01欧姆 - 55A TO- 220 / D2PAK / I2PAK的STripFET ?二功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.01 ohm - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET? II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
n沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.014ヘ - 55A TO- 220 / D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.014ohm - 55A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK STripFET⑩II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET
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