STP5NK50Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ？ N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH?MOSFET
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STP5NK50Z 数据手册 (17 页)

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STP5NK50Z 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	500 V
额定电流	4.40 A
封装	TO-220-3
额定功率	70 W
漏源极电阻	1.22 Ω
极性	N-Channel
功耗	70 W
阈值电压	3.75 V
漏源极电压(Vds)	500 V
漏源击穿电压	500 V
栅源击穿电压	±30.0 V
连续漏极电流(Ids)	4.40 A
上升时间	10 ns
输入电容值(Ciss)	535pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	70 W
下降时间	15 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	70W (Tc)

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STP5NK50Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP5NK50Z 符合标准

STP5NK50Z 海关信息

STP5NK50Z 概述

STP5NK50Z 数据手册

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17 页 / 0.36 MByte

STP5NK50Z 其他数据使用手册

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20 页 / 2.6 MByte

STP5NK50Z 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

29 页 / 0.65 MByte

STP5NK50Z 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.01 MByte

STP5NK50Z 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.16 MByte

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STP5NK50Z 数据手册

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N沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ？ N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH?MOSFET

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STMICROELECTRONICS STP5NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 500 V, 1.22 ohm, 10 V, 3.75 V

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