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STP60N3LH5
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STP60N3LH5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N沟道30 V ， 0.0072 Ω ， 48采用DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET
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STP60N3LH5 数据手册 (21 页)
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STP60N3LH5 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻7.2 mΩ
功耗60 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
上升时间33 ns
输入电容值(Ciss)1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)60 W
下降时间4.2 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)60W (Tc)
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STP60N3LH5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STP60N3LH5 数据手册

STP60N3LH5 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
21 页 / 0.72 MByte
STP60N3LH5 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
19 页 / 0.84 MByte
STP60N3LH5 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
19 页 / 0.85 MByte

STP60N3 数据手册

STP60N3LH5 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30 V ， 0.0072 Ω ， 48采用DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET
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