| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 75.0 V |
| 额定电流 | 80.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0095 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 漏源击穿电压 | 75.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80.0 A |
| 上升时间 | 25.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3700pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 175 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 9.15 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STP75NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 200 V, 34 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道75V - 0.0095ヘ - 80A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.0095ヘ - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
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N沟道30 V ， 0.0042 I© ， 75 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ，短IPAK N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAK
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N沟道68 V， 0.010欧姆， 80 A ， TO- 220的STripFET II功率MOSFET N-channel 68 V, 0.010 OHM, 80 A, TO-220 STripFET II Power MOSFET
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N沟道200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO- 220 - TO- 247低栅极电荷的STripFET ？功率MOSFET N-channel 200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247 Low gate charge STripFET? Power MOSFET
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N沟道75V - 0.009欧姆 - 75A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.009 ohm - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
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