类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 7.20 A |
封装 | TO-220-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 125 W |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 7.20 A |
上升时间 | 8 ns |
输入电容值(Ciss) | 1625pF @25V(Vds) |
下降时间 | 5 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 125W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 9.15 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
11 页 / 0.26 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
60 页 / 0.41 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
11 页 / 0.27 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP7NK80ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP7NK40ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP7N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 950 V, 1.1 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP7NK40Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP75NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 200 V, 34 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP7NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.25 A, 800 V, 950 mohm, 10 V, 4 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件