类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.95 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 90 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 620 pF |
漏源极电压(Vds) | 800 V |
连续漏极电流(Ids) | 3.25 A |
上升时间 | 8 ns |
输入电容值(Ciss) | 620pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 90 W |
下降时间 | 10 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 90W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 15.75 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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