| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 80.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 3.50 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 5500pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 30 V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.0034欧姆 - 80A TO- 220的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0034 ohm - 80A TO-220 STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP80NF03L-04 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1 V
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