| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.005 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 45 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 60.0 A |
| 上升时间 | 155 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4400pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 45 W |
| 下降时间 | 65 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 45W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 9.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP80NF55-06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
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