类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 55.0 V |
额定电流 | 80.0 A |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.008 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 300 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
漏源击穿电压 | 55.0 V |
栅源击穿电压 | ±16.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 80.0 A |
上升时间 | 180 ns |
输入电容值(Ciss) | 4850pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 300 W |
下降时间 | 80 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 15.75 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
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STMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP80NF55L-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP80NF55-06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
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N沟道55V - 0.0065ohm - 80A - TO- 220 / D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A - TO-220/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
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