| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 8.00 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 漏源击穿电压 | 55.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±16.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80.0 A |
| 上升时间 | 145 ns |
| 下降时间 | 65 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP80NF55L-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP80NF55-06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 0.0065ohm - 80A - TO- 220 / D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A - TO-220/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
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