类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 55.0 V |
额定电流 | 80.0 A |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.008 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 300 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 3700 pF |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
漏源击穿电压 | 55.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 80.0 A |
上升时间 | 100 ns |
输入电容值(Ciss) | 3700pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 300 W |
下降时间 | 35 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP85NF55 场效应管, MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP85N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道55V - 0.0060欧姆 - 80A D2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0060 ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.006ohm - 85A TO- 220 / I2PAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.006ohm - 85A TO-220/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
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