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STP85NF55L
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STP85NF55L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N沟道55V - 0.0060欧姆 - 80A D2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0060 ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
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STP85NF55L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.006 Ω
极性N-Channel
功耗300 W
阈值电压1.6 V
漏源极电压(Vds)55 V
漏源击穿电压55.0 V
栅源击穿电压±15.0 V
连续漏极电流(Ids)80.0 A
上升时间165 ns
输入电容值(Ciss)4050pF @25V(Vds)
额定功率(Max)300 W
下降时间55 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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STP85NF55L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STP85NF55L 数据手册

STP85NF55L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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N沟道55V - 0.0060欧姆 - 80A D2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0060 ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
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