类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 650 V |
额定电流 | 8.00 A |
封装 | TO-220-3 |
漏源极电阻 | 900 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 100 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 400 pF |
栅电荷 | 18.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 650 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 8.00 A |
上升时间 | 10.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 400pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 100 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 100W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 8A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP80NF55L-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道68 V, 0.0082 I© , 98 , TO- 220 STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET N-channel 68 V, 0.0082 Ω, 98 A, TO-220 STripFET⢠II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP8NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 0.73 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP80NF55-06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP8NK80ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP80NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
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