| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 30 W |
| 阈值电压 | 3.75 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.4A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1145pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 30 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 30W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
16 页 / 0.41 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.39 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道650 V - 1 - 6.4 A TO - 220 / TO- 220FP N-channel 650 V - 1 - 6.4 A TO-220 / TO-220FP
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道650V - 1W - 7A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 650V - 1W - 7A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
