| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-92-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 8 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 500 mA |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 156pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3 W |
| 下降时间 | 25 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.95 mm |
| 宽度 | 3.94 mm |
| 高度 | 4.95 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS STQ1HNK60R-AP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 8欧姆 - 1A DPAK / TO- 92 / IPAK / SOT- 223超网-TM MOSFET N-CHANNEL 600V - 8-ohm - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH-TM MOSFET
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