| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 11.0 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2.5 W |
| 漏源极电阻 | 0.0085 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±18.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
| 上升时间 | 39 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1440pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 16 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.25 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.0085Ω - 11A型SO-8低栅极电荷的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 30V - 0.0085Ω - 11A SO-8 Low gate charge STripFET? II Power MOSFET
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