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STS1NK60Z
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STS1NK60Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:N沟道600V - 13W - 0.25A - SO- 8齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 13W - 0.25A - SO-8 Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
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STS1NK60Z 数据手册 (8 页)
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STS1NK60Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流250 mA
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻13 Ω
极性N-Channel
功耗2 W
阈值电压3.75 V
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)250 mA
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)94pF @25V(Vds)
下降时间28 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2W (Tc)
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STS1NK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
高度1.65 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STS1NK60Z 数据手册

STS1NK60Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.29 MByte
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 13W - 0.25A - SO- 8齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 13W - 0.25A - SO-8 Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
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