| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 4.00 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 50.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.00 W |
| 输入电容 | 330 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±16.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.00 A |
| 上升时间 | 100 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 330pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 22 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 4A 2W 表面贴装型 8-SO
ST Microelectronics（意法半导体）
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双N沟道30V - 0.039ohm - 4A SO- 8的STripFET TM功率MOSFET Dual N-channel 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET TM Power MOSFET
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