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STS4DNFS30L
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STS4DNFS30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:N沟道30V - 0.044ohm - 4A SO- 8的STripFET TM MOSFET加上肖特基整流器 N-channel 30V - 0.044ohm - 4A SO-8 STripFET TM MOSFET plus SCHOTTKY rectifier
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STS4DNFS30L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流4.00 A
封装SOIC-8
漏源极电阻0.044 Ω
极性N-Channel, Dual N-Channel
功耗2 W
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±16.0 V
连续漏极电流(Ids)4.00 A
上升时间100 ns
输入电容值(Ciss)330pF @25V(Vds)
额定功率(Max)2 W
下降时间22 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2W (Tc)
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STS4DNFS30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STS4DNFS30L 数据手册

STS4DNFS30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.29 MByte
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