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STS4DPF20L
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STS4DPF20L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:N 通道 STripFET™ 双 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STS4DPF20L 数据手册 (8 页)
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STS4DPF20L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)-20.0 V
额定电流-4.00 A
封装SOIC-8
通道数2 Channel
漏源极电阻0.07 Ω
极性P-Channel
功耗2 W
阈值电压1.6 V
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压20 V
栅源击穿电压±16.0 V
连续漏极电流(Ids)4.00 A
上升时间35 ns
输入电容值(Ciss)1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.6 W
下降时间35 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
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STS4DPF20L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5 mm
宽度4 mm
高度1.25 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STS4DPF20L 数据手册

STS4DPF20L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.24 MByte
STS4DPF20L 其他数据使用手册
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STS4DPF20 数据手册

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N 通道 STripFET™ 双 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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