Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics（意法半导体） > STS4DPF30L Datasheet 文档
STS4DPF30L
来自 AiPCBA

STS4DPF30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:STMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V
PDF文件:STS4DPF30L 数据手册 (6 页)原理图在1 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STS4DPF30L 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STS4DPF30L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)-30.0 V
额定电流-4.00 A
封装SOIC-8
通道数2 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻0.07 Ω
极性P-Channel
功耗2 W
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
栅源击穿电压±16.0 V
连续漏极电流(Ids)4.00 A
上升时间35 ns
输入电容值(Ciss)1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)2 W
下降时间35 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
查看数据手册 >

STS4DPF30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5 mm
宽度4 mm
高度1.25 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

STS4DPF30L 数据手册

STS4DPF30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
6 页 / 0.1 MByte
STS4DPF30L 其他参考文件
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.13 MByte

STS4DPF30 数据手册

STS4DPF30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V
STS4DPF30L 数据手册
Samhop（三合微）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet