| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 4.00 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 65.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.00 A |
| 上升时间 | 45 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 870pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 17 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STS4DNF60L 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STS4DPF30L 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ 双 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
双N沟道30V - 0.039ohm - 4A SO- 8的STripFET TM功率MOSFET Dual N-channel 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET TM Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
的STripFET ™ MOSFET StripFET⑩ MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.065欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道 - 30V - 0.044ohm - 4.5A SO- 8的STripFET TM功率MOSFET加上肖特基整流器 N-channel - 30V - 0.044ohm - 4.5A SO-8 STripFET tm Power MOSFET plus schottky rectifier
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.044ohm - 4A SO- 8的STripFET TM MOSFET加上肖特基整流器 N-channel 30V - 0.044ohm - 4A SO-8 STripFET TM MOSFET plus SCHOTTKY rectifier
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO- 8的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
P沟道30V - 0.07ohm - 4A SO- 8 MOSFET STripFET⑩ PLUS肖特基整流器 P-CHANNEL 30V - 0.07ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
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