| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 5.00 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 1.6 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 30 mΩ |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 2.7 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
| 上升时间 | 33 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 460pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.65 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道20V - 0.030欧姆 - 5A SO- 8 2.7V -DRIVE STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 20V - 0.030 ohm - 5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STS5DNF20V 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V
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