STS7C4F30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	SOIC-8
描述:	N沟道30V - 0.018欧姆 - 7A SO- 8 P沟道30V - 0.070欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 7A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.070 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
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STS7C4F30L 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	8 Pin
额定电流	7.00 A
封装	SOIC-8
极性	N+P
漏源极电压(Vds)	30 V
连续漏极电流(Ids)	7.00 A
上升时间	35.0 ns
输入电容值(Ciss)	1050pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	2 W

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STS7C4F30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Cut Tape (CT)
工作温度	150℃ (TJ)

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STS7C4F30L 符合标准

STS7C4F30L 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STS7C4F30 数据手册

STS7C4F30L 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30V - 0.018欧姆 - 7A SO- 8 P沟道30V - 0.070欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 7A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.070 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET

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