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STS8DNH3LL
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STS8DNH3LL 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:双N沟道30 V - 0.018 Ω - 8 A - SO - 8低栅极电荷的STripFET ™III功率MOSFET Dual n-channel 30 V - 0.018 Ω - 8 A - SO-8 low gate charge STripFET™ III Power MOSFET
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STS8DNH3LL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流8.00 A
封装SOIC-8
通道数2 Channel
漏源极电阻22 mΩ
极性Dual N-Channel
功耗2 W
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
栅源击穿电压±16.0 V
连续漏极电流(Ids)8.00 A
上升时间14.5 ns
输入电容值(Ciss)857pF @25V(Vds)
额定功率(Max)2 W
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
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STS8DNH3LL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5 mm
宽度4 mm
高度1.65 mm
工作温度150℃ (TJ)
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STS8DNH3LL 数据手册

STS8DNH3LL 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
12 页 / 0.32 MByte
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STS8DNH3 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）
双N沟道30 V - 0.018 Ω - 8 A - SO - 8低栅极电荷的STripFET ™III功率MOSFET Dual n-channel 30 V - 0.018 Ω - 8 A - SO-8 low gate charge STripFET™ III Power MOSFET
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