| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-251-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0076 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 60 W |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 24.0 A |
| 上升时间 | 33 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1620pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 60 W |
| 下降时间 | 4.2 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 60W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 2.4 mm |
| 高度 | 6.9 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ V，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS STU60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V
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