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STW12NK95Z
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STW12NK95Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:STMICROELECTRONICS  STW12NK95Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.69 ohm, 10 V, 3.75 V
PDF文件:STW12NK95Z 数据手册 (14 页)封装尺寸在11 页12 页
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STW12NK95Z 数据手册 (14 页)
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STW12NK95Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)950 V
额定电流10.0 A
封装TO-247-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.69 Ω
极性N-Channel
功耗230 W
阈值电压3.75 V
输入电容3500 pF
栅电荷113 nC
漏源极电压(Vds)950 V
漏源击穿电压950 V
栅源击穿电压30.0 V
连续漏极电流(Ids)10.0 A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)3500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)230 W
下降时间55 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)230W (Tc)
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STW12NK95Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度15.75 mm
宽度5.15 mm
高度20.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STW12NK95Z 数据手册

STW12NK95Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.3 MByte
STW12NK95Z 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.84 MByte
STW12NK95Z 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
32 页 / 0.51 MByte
STW12NK95Z 其他参考文件
ST Microelectronics（意法半导体）
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STW12NK95 数据手册

STW12NK95Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STW12NK95Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.69 ohm, 10 V, 3.75 V
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