STW15NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-247-3
描述:	N沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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STW15NM60N 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-247-3
通道数	1 Channel
漏源极电阻	299 mΩ
极性	N-Channel
功耗	125 W
漏源极电压(Vds)	600 V
漏源击穿电压	600 V
连续漏极电流(Ids)	7.00 A
上升时间	14 ns
输入电容值(Ciss)	1250pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	125 W
下降时间	30 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	55 ℃
耗散功率(Max)	125W (Tc)

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STW15NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tube
长度	15.75 mm
宽度	5.15 mm
高度	20.15 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STW15NM60N 符合标准

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N沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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