| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.275 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 250 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 950 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 17.5A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1500pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 250 W |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 250W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.75 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 20.15 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
22 页 / 1.13 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.18 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
20 页 / 1.42 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
32 页 / 0.51 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 950 V, 0.275 ohm, 10 V, 4 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
