类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 500 V |
额定电流 | 17.0 A |
封装 | TO-247-3 |
额定功率 | 190 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.23 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 190 W |
阈值电压 | 3.75 V |
输入电容 | 2600 pF |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 17.0 A |
上升时间 | 20 ns |
输入电容值(Ciss) | 2600pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 190 W |
下降时间 | 15 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 190W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.75 mm |
宽度 | 5.15 mm |
高度 | 20.15 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.48 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.42 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
32 页 / 0.51 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.12 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件