STW21N90K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-247-3
描述:	N沟道900 V， 0.25 I© （典型值）， 18.5齐纳保护SuperMESHâ ??在D2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220和TO- 247封装¢ 5功率MOSFET N-channel 900 V, 0.25 Î© typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESHâ¢ 5 Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages
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STW21N90K5 数据手册 (17 页)

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STW21N90K5 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-247-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.25 Ω
极性	N-CH
功耗	250 W
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	900 V
连续漏极电流(Ids)	18.5A
上升时间	27 ns
输入电容值(Ciss)	1645pF @100V(Vds)
额定功率(Max)	250 W
下降时间	40 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	250W (Tc)

STW21N90K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STW21N90K5 符合标准

STW21N90K5 海关信息

STW21N90K5 概述

STW21N90K5 数据手册

STW21N90K5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STW21N90K5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 0.96 MByte

STW21N90K5 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STW21N90 数据手册

STW21N90K5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道900 V， 0.25 I© （典型值）， 18.5齐纳保护SuperMESHâ ??在D2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220和TO- 247封装¢ 5功率MOSFET N-channel 900 V, 0.25 Î© typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESHâ¢ 5 Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages

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