STW21NM50N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-247-3
描述:	N沟道500V - 0.15ヘ - 18A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.15ヘ - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
PDF文件:	STW21NM50N 数据手册 (18 页)封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页 14 页 15 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STW21NM50N 数据手册 (18 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STW21NM50N 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	500 V
额定电流	18.0 A
封装	TO-247-3
漏源极电阻	150 mΩ
极性	N-Channel
功耗	140W (Tc)
输入电容	1.95 nF
栅电荷	65.0 nC
漏源极电压(Vds)	500 V
漏源击穿电压	500 V
栅源击穿电压	±25.0 V
连续漏极电流(Ids)	18.0 A
上升时间	18 ns
输入电容值(Ciss)	1950pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	140 W
下降时间	30 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	140W (Tc)

查看数据手册 >

STW21NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Tube
工作温度	150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STW21NM50N 符合标准

STW21NM50N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.61 MByte

STW21NM50 数据手册

STW21NM50N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道500V - 0.15ヘ - 18A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.15ヘ - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号