| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.175 Ω |
| 功耗 | 150 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 1055 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 上升时间 | 8.7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1055pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 150 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 600 V 18A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.175 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 600 V, 0.19 ohm, 10 V
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