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STW26N60M2
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STW26N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STW26N60M2 数据手册
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STW26N60M2 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-247
极性N-CH
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)20A
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)1360pF @100V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)30000 mW

STW26N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube

STW26N60M2 数据手册

STW26N60M2 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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