| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 30.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 135 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 313W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 30.0 A |
| 上升时间 | 22 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2900pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 313W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 30A（Tc） 313W（Tc） TO-247-3
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS STW26NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V
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N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N沟道600V - 0.125ohm - 26A TO- 247齐纳保护MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.125ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
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