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STW34NM60N
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STW34NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:STMICROELECTRONICS  STW34NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V
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STW34NM60N 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.092 Ω
极性N-Channel
功耗210 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)29A
上升时间34 ns
输入电容值(Ciss)2722pF @100V(Vds)
额定功率(Max)210 W
下降时间70 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)250W (Tc)
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STW34NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度15.75 mm
宽度5.15 mm
高度20.15 mm
工作温度150℃ (TJ)
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STW34NM60N 数据手册

STW34NM60N 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
2 页 / 0.07 MByte
STW34NM60N 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
21 页 / 1.2 MByte
STW34NM60N 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
32 页 / 0.51 MByte

STW34NM60 数据手册

STW34NM60N 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STW34NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V
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