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STW45N60DM2AG
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STW45N60DM2AG 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:场效应管(MOSFET) STW45N60DM2AG TO-247-3
PDF文件:STW45N60DM2AG 数据手册 (13 页)封装尺寸在9 页10 页
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STW45N60DM2AG 数据手册 (13 页)
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STW45N60DM2AG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗250 W
上升时间27 ns
输入电容值(Ciss)2500pF @100V(Vds)
下降时间6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)250W (Tc)
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STW45N60DM2AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度20.15 mm
宽度15.75 mm
高度5.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STW45N60DM2AG 数据手册

STW45N60DM2AG 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.28 MByte
STW45N60DM2AG 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
12 页 / 0.37 MByte

STW45N60DM2 数据手册

STW45N60DM2AG 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
场效应管(MOSFET) STW45N60DM2AG TO-247-3
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