| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.085 Ω |
| 功耗 | 210 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 上升时间 | 5.3 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1920pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 7.3 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 210000 mW |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
场效应管(MOSFET) STW45N60DM2AG TO-247-3
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V
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