类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 45.0 A |
封装 | TO-247-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 110 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 417 W |
漏源极电压(Vds) | 650 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 45.0 A |
上升时间 | 20 ns |
输入电容值(Ciss) | 3800pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 417 W |
下降时间 | 23 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 417W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.75 mm |
宽度 | 5.15 mm |
高度 | 20.15 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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STMICROELECTRONICS STW45NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 550 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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N沟道500 V, 0.07 Ω , 45 A, TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET (具有快速二极管) N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)
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晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V
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