类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.065 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 300 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
上升时间 | 27 ns |
输入电容值(Ciss) | 3250pF @100V(Vds) |
下降时间 | 9.8 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.75 mm |
宽度 | 5.15 mm |
高度 | 20.15 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics
●MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。
●高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性
●符合 AEC-Q101
ST Microelectronics(意法半导体)
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N-沟道 650 V 0.07 Ω 300 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-247-3
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场效应管(MOSFET) STW48N60M2-4 TO-247-4
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STMICROELECTRONICS STW48N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 40 A, 600 V, 0.065 ohm, 10 V, 4 V 新
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